si,GAs和InP半导体设备大大改善上个世纪我们的生活为了在本世纪进一步提高我们的生活水平,有必要研究新的半导体材料并开发高性能半导体设备。宽带半导体,如ZnO、SiC、GaN、Ga₂O级₃和钻石被认为是下一代半导体,因为它们的物理和化学特性极佳高温高功率电子设备、气传感器、高电波晶体管和微电机系统等半导体电子技术的模拟选手大有希望

为了构造高性能半导体电子和光电设备,正在开发数个研究领域,如高质量散装或上层生长、n型和p型 dopping、表水晶质量提高、金属/半导体或阻隔器/半导体交叉点接口质量、优化设备制造过程和半导体设备新应用开发近些年来,半导体生长和装置技术取得了显著进步。实现研究环境将具有价值和意义

特刊的目的是发布高质量研究论文和评论文章,供最近研究半导体生长、表面和界面物理、电子和光电设备及其应用鼓励作者提供原创研究论文和评论文章,反映半导体当前的进展

潜在题目包括但不限于:

• 半导体生长,如SiGaAs InPZNOSICGANGA₂O级₃并钻
• 表面和界面物理
• 底部结构学
• Metal/semiconductor, semiconductor/semiconductor, and insulator/semiconductor interfaces
• 材料特征描述和装置编程开发
• 半导体光电设备
• 半导体新应用
• 高级半导体设备测量系统
• 微电机系统
• 半导体设备当前进度
• 生物传感器和半导体能量应用