TY - Jour A2 - Liu，金龙奥 - Banchuin，RawID PY - 2016 DA - 2016/07/28 TI - 亚阈值的随机变化分析FGMOSFET SP - 3741250 VL - 2016 AB - 浮动性能随机变化分析栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（FGMOSFET）是通常引用的基于半导体的电子设备，在其漏极电流（ 一世 D. ），已在本研究中提出。 一世 D. 是感兴趣的，因为它直接可测量，可以是确定其他人的基础。所有相关的制造过程引起的设备级随机变化，它们的统计相关性和低电压/低功率操作条件已经考虑。发现分析结果非常准确，因为它可以以非常高的精度适合基于纳米Spice BSIM4的参考。通过使用此类结果，最大限度地减少变化的策略 一世 D. 可以找到，可以执行任何亚阈值FGMOSFET电路的电路电平参数的变化分析。因此，已经发现该研究的结果有利于基于亚阈值FGMOSFET电路的可变性意识设计。SN - 0882-7516 UR - HTTPS://Doi.org/10.1155/2016/3741250 Do - 10.1155/2016 / 3741250 JF - 主动和被动电子元件PB - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -