刘金龙AU - Maerz, Andreas AU - Bertelshofer, Teresa AU - Bakran, Mark-M。PY - 2016 DA - 2016/09/21 TI -基于结构的热模型描述垂直碳化硅功率MOSFET在故障条件下SP - 9414901六世- 2016 AB - SiC MOSFET承受时间的准确预测单一故障事件极大地影响设备保护电路的要求这些设备在电源转换器应用领域，如电压源逆变器或电力电子变压器。为此，提出了基于4H-SiC芯片结构设计和物理尺寸以及材料性能的热模型。本文概述了垂直碳化硅MOSFET在各种驱动和边界条件下的短路事件的热行为。热模型将设备的破坏性测试替换为发生故障事件的一组单独的边界条件。在一组不同边界条件下，对最先进的垂直碳化硅mosfet进行了短路实验，验证了解析参数化热模型的有效性。所研究的热模型还可进一步用于标准化文献中不同的栅氧化层降解值，用于重复发生故障或过载条件下个别应用的栅氧化层寿命预测方法。这些制造商在没有标准化测试程序的情况下测量的特定报告值可以转化为反复达到的最大结温。因此，热模型为单个芯片和应用的栅氧化层寿命计算提供了统一的参数。 SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2016/9414901 DO - 10.1155/2016/9414901 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -