ty -jour a2 -zhao，洪阳au-林，hyein au -lee，seungjun au -shin -shin，hyungsoon py -2016 da -2016/05/18 ti-磁性隧道连接机的建模调查VL-2016 AB-基于自旋转移扭矩的磁磁性随机访问记忆（STT-MRAM）是通用内存的有前途的候选者，可以替代传统的内存形式。预计将提供高速操作，可伸缩性，低功率耗散和高耐力。MRAM开关技术已从现场诱导的磁开关（FIMS）技术发展为自旋转移扭矩（STT）开关技术。此外，诱导垂直磁各向异性（PMA）的材料技术通过降低开关电流密度来促进低功率的操作。在本文中，审查了磁性隧道连接（MTJ）的建模。比较了MTJ特性的建模方法和模型分为两组，分子模型和行为模型，并比较MTJ的最重要特征，电压依赖性MTJ电阻和开关行为。为了表示MTJ电阻的电压依赖性，某些模型基于物理机制，例如Landau-Lifshitz-Gilbert（LLG）方程或电压依赖性电导。某些行为模型是通过添加拟合参数或引入新的物理参数来构建的，以表示MTJ在广泛的输入电流条件下的复杂开关行为。通过简单地拟合实验数据来实现其他非基于物理机制的模型。 SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2016/3858621 DO - 10.1155/2016/3858621 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -