TY - JOUR A2 -王薇欧丽，欧莲智仁，欧莲燕婷，Wei-Cheng PY - 2016 DA - 2016/10/12 TI -噪声参数分析不同大小的锗硅HBTs击穿区域SP - 8506507六世- 2016 AB -硅锗的噪声参数(锗硅)异质结双极晶体管(HBTs)研究了不同大小的首次故障区域。当SiGe hbt的发射极长度缩短时，击穿时的最小噪声系数降低。此外，较窄的发射极宽度也降低了SiGe HBTs在雪崩区域的噪声系数。当发射体长度和宽度较小时，由于击穿机制降低了噪声谱密度，噪声性能降低。不同尺寸的SiGe HBTs在击穿时的噪声性能与实验值吻合较好。分析结果对工作在击穿区域的射频电路有一定的参考价值。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2016/8506507 DO - 10.1155/2016/8506507 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -