抽象性
以有机无机百草枯为基础的机用太阳能电池编译并加层过程结构设备ITO/SnO2/CH3NH3PBI3/NiO iTO透明化ITO层设备从两端接收光线通过淡化两半构件ITO/SNO2/CH3NH3PBI3和CH3NH3PBI3/NiO ITO高温加压合并中间百草枯层优化双片PSC显示VOC0.85VF0.58Jsc1753mA/cm2和PCE8.47%光学性能因双向PSC的不同侧点亮而异带光从SnO2侧面PSCVOC和Jsc显然比NiO高 侧端建议重电子孔重编 /perovskite接口比SnO2/perovskite接口
有机混合百草枯太阳能电池因其显赫性能、载波高度移动性、低exiton绑合能和长扩散长度而广受关注一号-3..设备使用寿命和电源转换效率是决定太阳能电池发电最终成本的关键因素过去几年里经认证普罗夫斯基太阳能电池的PCE快速达23.7%4-7和硅太阳能电池相似混合卤化物持续受水分和热量攻击,容度差,使设备稳定性提高成为一个挑战性问题。差耐用性主要来自离子型晶体结构 和不稳定加固加碘离子8混合卤化物可被极地溶剂、热攻击和碘化物扩散九九..此外,最先进漏洞传输材料和金电极的高成本是商业应用的廉价重担10..
常规PSC通常由非透明电极组成因此,金属电镀器单向照亮1(a))多片面太阳能板排列整洁时,面面上的一些光事件反射到另一面面面上,但这些阳光线无法再利用。因此,这些PSC板只能用透明电极从侧收集太阳能,导致光利用不足
我们在这里用ITO/SNO演示双向PSC2/CH3NH3PBI3/NiO iTO配置中两个电极透明前向和后向传输层共享单CH3NH3PBI3胶卷自动封装简单过程和材料,克服选择适当和昂贵电子和洞运输层的困难接收两端光照1(b))
氧化物-涂层玻璃子块先用洗涤水脱离分解水和乙醇相接清洗,后在热板上干燥基底用UV/Ozone处理20分钟进一步清洗SnO系统2分解水分解并按室温度推12小时以上,再分解40秒3000m/min并喷射150°C空气10分新元 分解水分解并分解到60摄氏度12小时以上并分解并分解到3000rpm/min空气中40秒等模PBI2和MAI混合溶解溶解南锥体丁列酮和二甲基二氧化二亚 (8:2 )后在60摄氏12度样本移入吸尘室混合解析法分包SnO2和NiO 子串取千分之153000分数35分之3000分薄膜厚度约200纳米我们通过手操作垂直液压插件施压装配于200摄氏度压力和温度保持10分钟后卸载双玻璃子串上普罗夫斯基胶片紧密联系并合并两端都用夹子绑定手机区为0.038cm2.
图显示双向PSC设备结构2(a).结构设备ITO/SnO2/CH3NH3PBI3/NiO iTO中SnO2起电子传输层和NiO作用 洞运输层有机渗透式CH3NH3PBI3光吸附器图显示双向PSC的能量带图2(b).
LUMO级SnO2匹配enovskite吸附器, 以便相片生成电子 高效收集并传送到相邻阴极低HOMO水平可有效阻塞孔达ITO电极类似HOMONIO级 匹配enovskite吸附器, 以便相片生成孔 高效收集并传送到相邻阳极高LUMO水平可有效阻塞电子达阳极载荷运输层选择决定双向PSC的极性,阴极和阳极都透明ITO层
双向PSC进程显示于图3.第一,我们构造两个半构件图3(a).
电子电路传输层SnO2内欧市 )SnO/ITO基底旋转2高密度SnO制成2溶液分解水,富集度为200mL/1L,12小时室温扰动新元 溶液由NiO制成X级粉分解水,浓度24 mg/300m双线程2和NiO 解决方案3000r/min旋转40分钟并发SnO2旋转后150摄氏度时需退解10分后普罗夫斯基CH3NH3PBI3层沉入电子运输层,分步完成半构件,贴上ITO/SnO标签2ITO/NIO )基底普罗夫斯基解法用单步法拟制,溶液为PbI2和CH3NH3I.溶剂为1:1混合南锥体丁卓内和二甲基二氧化亚,60摄氏12小时扰动并过滤预热60摄氏使用置氮手套盒内ITO基底二片中用普罗夫斯基解法进行旋转涂层百草枯先质以双速排列基数: 千分之15, 后加三千分之35, 后加三百分之35最终基底在100摄氏度退火10分钟下一步ITO/SNO2ITO/NIO 子串并用高温应用压力编织双轨PSC3(b))裁剪过程后,设备中间段分离百草枯层归为一层3(c))图3(d)即最终双轨PSC相片带剪片防止设备解码即将到来测量
图中AFM图像4(a)并4(b)显示spovskite表层形态2/perovskite和NiO peroviste基底胶片表面粗糙和不均匀将两个半构件并列时,中间百草枯层间的接触面积可能很小,因为图中显示的每个基数上百草枯层面不均匀4(c).
压力和高温应用可能改变软百科夫斯基材料的接触面并最终将双百科夫斯基层合并为一层(图示图解)。4(d))基于这一猜想,我们调查温度和压力对双向PSC性能的影响
常压42kPa时, 我们探索温度对PSC性能的影响图中显示5时取模过程温度从160摄氏度向220摄氏度变化时,Jsc、Voc和填充因数随温度提高而变化特别是Jsc显示清晰显示先上升后下降,最高达200摄氏度结果,功率转换效率也显示相似趋势,在200摄氏度时达最高值结果显示,透视层合并因加压过程高温应用而得到促进温度低,原生百草枯层无法完全合并,仍然有未封部分使两块分离百草枯层无法充分联系普罗夫斯基接口的接触区低,导致PSC低Jsc温度升高,例如200摄氏度,百草枯层合并增强,改善接触区和Jsc
但如果温度太高 普罗夫斯基自身结构可能因CH变不稳定3NH3+依赖温度高流畅度影响CH异常排列3NH3+晶体结构高温绑定CH3NH3+下降量,并因此大数CH3NH3+分子分解11导致设备性能下降图5嵌套照片显示普罗夫斯基快速转黄高温表示高温确实摧毁 Perovskite结构并证实了我们的猜想
压层过程施压有助于百草枯合并图中显示设备性能对比6.薄化PSC编译时不按显示VOC0.83V/FF0.42Jsc8.34mA/cm2和PCE2.93%压强为42kPa的压强PSC显示Vec0.85V/FF0.58Jsc1753mA/cm2和PCE8.47%后一设备大增Jsc和PCE表示接触区增加并改进二分二加压装置合并
发现光学性能不同时光从双向PSC的不同侧照亮
图7(a)显示当前电压特征2和NiO 侧切带光从SnO2侧面PSCVOC和Jsc显然比NiO大 侧面双面设备从SnO显示时显示高PCE2侧面趋势多设备验证图7(b)显示光电参数统计多设备中的Voc、Jsc、FF和PCE测试结果确认二元PSC显示高Vec、Jsc和PCE2侧面NIO 侧面
图8(a)显示双向PSC从SnO中照亮2和NiO 侧切吸附边缘下波长(740纳米)比整齐化高从关系 ,740纳米以下波长传输小于10%图中显示计算密度分布剖面图10%8(b).事件光点SnO2侧面普罗夫斯基峰有光强度2/perovskite接口并快速下降类似事件光线对NiO 侧面光强度最强 /perovskite接口, 并变弱多 在enovskite电影的另一端光强度剖面还反映相生成电子洞配对分布光电学实战2从NiO 侧向显示两个界面不同的载波动态下Vec和Jsc点亮Nio 侧比SnO2侧建议重电子孔重编X级/perovskite接口比SnO2/perovskite接口原因是载波集合和重组是光电设备中两个竞相过程高载重编译率导致PSC收集效率下降,直接导致Jsc下降高重编译率还导致百草枯层载量过低,从而降低Voc值
开工结论
归根结底,双向PSC结构ITO/SNO2/CH3NH3PBI3/NiO iTO编译常压42kPa和高温200oC加固enovskite层并发,改善接触区和Jsc优化双片PSC显示VOC0.85VF0.58Jsc1753mA/cm2和PCE8.47%光从双向PSC的不同侧点亮时光性能不同带光从SnO2侧面PSCVOC和Jsc显然比NiO大 侧面结果显示NiO重构更重电子孔 /perovskite接口比SnO2/perovskite接口
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数据可用性
支持本研究结果的[DATATYPE]数据可应请求从相关作者处获取
利益冲突
作者声明他们没有利益冲突
作者贡献
Yujing Yang、Yue Zhu和Wang小桥为这项工作平等出力
感知感知
作者感谢中国自然科学基金会的财政支助61874008、61574014和11474017北京市科技项目(Z181100000471804)和北京研究生创新创业培训方案(项目201910004168)。