TY -的A2 Ghibaudo杰拉德AU -,你们盟——Zhidi蒋盟——建平,胡PY - 2021 DA - 2021/11/26 TI -一种新型Tri-Input TFET丁字形的通道结构表现出三个输入多数逻辑行为SP - 8919283六世- 2021 AB -在这篇文章中,我们提出一种新型的Tri-Input隧道场效应晶体管(Ti-TFET)可以简洁地意识到“多数群体不会”逻辑功能与单个晶体管。以一个巧妙的t形截面的通道和三个independent-biasing盖茨沉积和花纹在其左,右,和上,大大提高了静电控制能力任何两个门之间的所有设备上的三个大门通道,从而增加其接通电流。总电流密度和能带分布在不同偏压条件下由TCAD仿真,详细分析了。接通电流,漏电流,接通开关电流比进行了优化,通过选择适当的功函数和身体厚度。TCAD仿真结果验证的预期特征提出Ti-TFETs在不同的工作状态。Ti-TFETs灵活可以用来实现一个逻辑电路与一个紧凑的风格,从而降低电路的晶体管数量和烟囱高度的。它提供了一种新技术来减少芯片面积和功耗,节约的晶体管数量。SN - 0882 - 7516你2021/8919283 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2021/8919283——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi KW - ER