TY -的A2 Ghibaudo杰拉德AU - Mo,海丰盟——张赵耀辉经济学盟歌,Helun PY - 2019 DA - 2019/07/14 TI -改善线性度和鲁棒性降低射频LDMOS的准饱和效应SP - 8425198六世- 2019 AB -探讨线性和鲁棒性在一起第一次披露改进它们的方法。结果表明，器件工作在准饱和区时的非线性跨导是影响器件线性度的重要因素。峰值电场是电子速度饱和的根本原因。在漏极附近的漂移区域产生的高电场会产生更多的电子-空穴对，从而触发寄生NPN晶体管的开启，从而导致器件失效。用TCAD模拟并测量了不同漂移区掺杂的器件。随着LDD4的掺杂，漂移区的峰值电场减小;跨导的线性区域被拓宽。相邻信道功率比降低2 dBc;在NPN晶体管开启之前，可以多释放12%的功率，表明有更好的线性度和鲁棒性。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2019/8425198 DO - 10.1155/2019/8425198 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi KW - ER -