ty -jour a2 -Ghibaudo，Gerard au -ni，Haiyan au -Hu，Jianping au -Yang -Yang，Huishan au -Zhu -Zhu，Haotian PY- 2018 DA -2018/09/19 ti-全面优化双重threshold threshold Independent -Gate -Gate Finfet和Gate -Gate Finfet和Gate Finfet和finSRAM细胞SP -4512924 VL -2018 AB-独立门（IG）FinFET是电路应用中有前途的设备，因为它的两个分离门可以独立使用。在本文中，我们提出了一种综合方法，以通过对门电极工作函数，氧化物厚度和硅体厚度进行调制来优化双阈值（DT）IG FinFET设备。硝酸钛（锡） _X）用作良好性能的可调功函数门电极。TCAD模拟扫除了门氧化物和硅体的厚度以获得适当的值。对优化晶体管的验证模拟表明，DT IG FinFET可以分别实现并行合并和串联晶体管，并且晶体管的当前特征得到显着改善 。通过提取BSIM-IMG模型参数，我们可以通过将HSPICE与BSIM-IMG模型一起模拟由建议的DT IG FinFET组成的电路。作为实际示例，我们使用DT IG FinFET优化了两个新型的7T SRAM细胞。HSPICE仿真结果表明，与其他实现相比，新的SRAM细胞获得更高的写入边距，并读取具有泄漏功耗的静态噪声边缘。SN -0882-7516 UR -https：//doi.org/10.1155/2018/4512924 do -10.1155/2018/2018/4512924 JF-主动和被动的和被动的电子零件PB-