TY -的A2 Horng Jiun-Wei AU -纳瓦兹,穆罕默德PY - 2015 DA - 2015/01/01 TI -门电介质的评价基于4 h-sic功率mosfet SP - 651527六世- 2015 AB -这项工作的评估闸极介电层4 h-sic mosfet使用基于技术的二维数值计算机模拟。结果研究了各种不同厚度的闸极介电层候选人使用知名Fowler-Nordheim隧穿模型。相比传统的SiO₂作为闸极介电层4 h-sic场效电晶体,高- k 闸极介电层,如高频振荡器₂极大地降低了电场在闸极介电层的数量等于闸极介电层厚度,因此整个门电流密度。高- - - - - - k 闸极介电层进一步降低阈值电压不同介质厚度的变化,从而导致更好的利润和稳定装置操作行为过程。固定介质厚度、阈值电压的改变总时间约为2.5 V已经观察到随着SiO介电常数的增加₂( k = 3.9 )高频振荡器₂( k = 25 )。这进一步导致更高的设备的跨导的增加从SiO介电常数₂对高频振荡器₂。此外,4 h-sic mosfet发现更敏感与传统SiO阈值电压的变化₂比高闸极介电层 k电介质的界面状态的电荷密度通常观察到界面的介质和4 h-sic金属氧化物半导体表面。SN - 0882 - 7516你2015/651527 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2015/651527——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER