TY -的A2 Horng Jiun-Wei盟——Banchuin Rawid PY - 2015 DA - 2015/07/15 TI -分析模型的随机变化的漏极电流FGMOSFET SP - 315105六世- 2015 AB -随机变化的分析模型在浮栅MOSFET漏极电流(FGMOSFET)已经提出了研究。三极管模型由两部分组成,饱和区域的操作过程诱导设备水平随机变化的每个地区及其统计相关性考虑在内。浮置栅极电压的非线性和耦合因素的依赖漏电压FGMOSFET也被认为是。模型被发现是非常准确的,因为它能够准确地符合香料BSIM3v3基础参考获得通过使用蒙特卡罗模拟和香料FGMOSFET模拟技术与香料。它可以适应基于BSIM4参考如果需要通过使用最佳提取参数。通过使用该模型,FGMOSFET和分析建模的可变性分析电路级参数的变化可以执行任何FGMOSFET电路。所以,这个模型被发现是一个有效的工具的变化知道FGMOSFET建立电路的分析和设计。SN - 0882 - 7516你2015/315105 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2015/315105——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER