A. AU - Chelly, A. PY - 2014 DA - 2014/12/15和SP - 782417 VL - 2014 AB -研究了两种完全耗尽(FD) SOI MOSFET器件的饱和状态。采用选择性“栅槽”工艺在同一硅片上同时制作超薄体(UTB)和栅槽通道(GRC)器件。他们是一样的 W / L而沟道膜厚度分别为46 nm和2.2 nm。他们的标准特性( 我 DS - V DS 和 我 DS - V GS )，在室温下冷却至77 K前进行测量。令人惊讶的是，他们各自对温度的依赖是相反的。在本文中，我们重点对器件的导电进行了比较分析 Y函数应用于饱和域。首次提出了温度在这一领域的影响。我们指出了其局限性 Y-函数分析并显示一个新函数被调用 Z可用来提取饱和状态下的串联电阻。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2014/782417 DO - 10.1155/2014/782417 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -