TY - Jour A2 - Horng，Jiun Wei Au - Malmqvist，R. Au - Samuelsson，C. Au - Gustafsson，A. Au - Rantakari，P. Au - Reyaz，S. Au - Vähä-Heikkilä，T.Au - Rydberg，A. Au - Varis，J.Au - Smith，D. Au - Baggen，R.Py - 2011 DA - 2011/12/26 TI - 一种启用K频段RF-MEMS的可重新配置和多功能低噪声放大器混合电路SP-284767 VL - 2011 AB - K频段（18-26.5 GHz）启用RF-MEMS可重新配置和多功能双路径LNA混合电路（针对最低/最高可能的噪声系数/线性，REACH。），与其亚电路部件一起。两个MEMS切换的低NF（更高增益）和高线性度（下增益）LNA电路（路径）提供16.0dB / 8.2dB，2.8 dB / 4.9 dB和15 dBm / 20 dBm的小信号增益，噪声图和24 GHz的图和1 dB压缩点。与在该设计中使用的两个（固定）LNA子通胶相比，MEMS开关LNA电路功能显示最小0.6-1.3dB更高的NF与类似的值 P. 1 D b 在18-25 GHz。当在相同的开关分支中的MEMS开关和有源电路被关闭以选择另一个LNA路径并最小化功耗时，一个LNA电路路径的增益减小了25-30dB。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2011/284767 Do - 10.1155 / 2011/284767 JF - 主动和被动电子元件PB - Hindawi Publishing CorporationKW - ER -