抽象性

端带滤波建议新带反转分量元素同轴波导体中插槽研究框架内对滤波放大频率特征进行数值实验调查请注意,根据槽参数,两种典型共振(半波和四分之一波)可激化拒绝单元带定义宽度、深度和二电填充槽第五序Chebyshev过滤器使用前述元素,并合成、制造和测试测量模拟结果完全一致实验滤波原型显示0.86GHz级-40dB

开工导 言

微波滤波技术审查、应用透视以及滤波设计描述见[一号..窄带金枪鱼滤波器通常使用长方形波导件和二电共振器实现2或微步共振器3..提供宽带滤波器和低Q因子共振器,如带直接连通正向线环共振4或双平面条共振器5应用

槽共振器作为微波滤波基本元6..主要的共和者优点是小尺寸、制造简洁性以及自然融入同轴线的可能性论文中TEM波段插槽共振器用于设计端X波段滤波

论文组织如下内段2中考虑带反射元件的不同设计以及槽中的EM字段分布并视槽维度研究共振频率和加载Q因子行为实验搜索单槽过滤器的结果在Cection中讨论3并指向开发复杂过滤器设计的能力段内4专用于Chebyshev拒绝过滤原型综合实验

二叉带反转元素

图中显示小带反射元素的图文视图一号.带反射元素为轴对称结构,由带中心导体半径的同轴波导a外导体b/..共轴波导由二电填充并容性++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++_一号.插槽居中导体宽度华府和深度d级下图一号由二电填充₂.两种不同的滤波设计可以通过完全槽实现 下图一号和局部插槽 下图一号(2))

以激发与组件的共振 构造中条件 非实现不可6..磁场分布为轴对称应当指出,两种共振类型在这个结构中可感动视槽深度之间的关系而定d级中心导体半径a/下图一号)最大值定位槽中心 下图2(a))!反向 最大值定位中心导体表面2(b))基于上文提到的磁场振荡分布6称半波共振 下图2(a)和四波共振 下图2(b))

从头分析深度影响d级宽度华府)和许可性 单点性能四波共振 内插深度增加引导共振频率从 GHZ调用 GHZ图解3(a)并3(b)中表一号)插段从0.5毫米向1.5毫米变化导致Q因子变化约72%,而共振频率稍有变化(图示图解)3(b)并3(c)中表一号)

表示半波共振 中位宽度变异指向相似结果4(a)并4(b))分电填充可改变单元的共振频率插槽二电填充可减低中心导体对准同轴波制导半径在这种情况下,有可能为上述滤波提供高效拒绝带控制

结合这些评论,人们可以总结共振频率由槽深度和二电许可性₂.同时,Q因子依赖插槽宽度和分解介电和金属关于这些语句的插图,半波显示槽维度上标注参数的依存性 和四波 (图解)5并6共振前后导体半径不变我们选择许可性 插槽时 并 tan++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ .选择二电许可性值 允许我们保持同频带对两个槽,共振频率对槽深度有线性依赖5)Q因子减法的解释是增加辐射损耗并增加插槽宽度6)最大Q因子值使用槽宽参数可实现 .

3级实验验证

Agilent网络分析器PNA-LN5230A频段8-14GHz上对单行滤波原型特征进行了实验调查图中显示人工滤波原型7.滤波参数如下: 毫米 毫米 并 .测算和模拟S公平协议₁₂单槽参数宽度不同 mm和 )观察(图解)8)相异共振频率小于0.05GHz,可以用生成滤波不准确性以及实验中实电允许性与模拟使用差来解释。

4级Chebyshev滤波合成

端带滤波表初始参数2综合下文插槽填充空气 )则选择四波共振为滤波基本元素等价滤波图九九上层基于模拟结果,确定等效电路所有元素的值,并判定每个共振频率和Q因子位数参数初始值华府并d级)从图中选择5并6.中心导体半径变换提供了理想阻力a/.进一步的滤波优化是通过我们早先开发全波模拟器实现的6..共振器定位距离3++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++30+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++4++4+4+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++九九底部)目标函数S参数选择和槽宽度华府插槽深度d级变化范围为+++5

优化滤波表突出显示参数3设计 制造 调查上文注解过滤原型S参数显示图10.基于对这些数据的分析,我们可以拟出一些结论,即:(一) 测量S参数与全波段和波段最频点模拟参数完全一致拒绝带0.86GHz

5级结论

原带反射元素显示为同轴波导中槽设计微波截带滤波半波和四波共振在这个元素中极感兴奋,已经研究分析过带反射元件已经设计制造发现两例中槽宽增 至 引导下加载Q因子下降22%共振频率取决于槽深度计算和测量数据良好并发第五序Chebyshev滤波带反射元件也合成、制造并调查测量S参数与数字参数完全一致,在整个跨带和中转带最频点使用注意滤波特征接近模拟特征而没有任何裁剪元素拒绝带0.86GHz级-40dB拟中截带滤波可自然融入同轴波导体,在不同应用中似乎极有吸引力。