TY -的A2 Berceli Tibor盟,慕克吉Moumita盟——Mazumder Nilratan AU -罗伊,Sitesh Kumar PY - 2008 DA - 2008/05/12 TI - 4的前景h-sic双漂移区域碰撞雪崩渡越时间设备作为对光敏感大功率来源为0.7兆赫频率政权SP - 275357六世- 2008 AB -宽禁带4的动态性能h-sic基于双漂移区域( p + + p n n + + )冲渡二极体模拟首次在太赫兹频率(0.7兆赫)地区。模拟实验建立的潜力SiC基础冲渡二极体作为高功率( 2 5 × 10 11 Wm − 2 )太赫兹源。设备发现的寄生串联电阻减少10.7%的功率输出。外部辐射对模拟二极管的影响也进行了研究。发现(我)负电导和(2)二极管的负阻降低,同时,操作的频率和质量因素转变photoillumination下向上。洞4 h-sic碰撞雪崩渡越时间发现主导调制为基础的活动。的不平等级半导体中的电子和空穴电离率可能与这些发现。SN - 0882 - 7516你2008/275357 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2008/275357——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER