TY - Jour A2 - Ulloa，Sergio E. Au - Xue，Xiaohuan Au - Song，Jianjun Au-xuan，Rongxi Py - 2019 Da - 2019/09/16 Ti - 有限元应力模型直接带隙GE实现方法兼容SI Process SP-2096854 VL - 2019 AB - 作为间接带隙半导体，锗（GE）可以通过一些特定的改进的方法，应力和合金化效果转换成直带隙半导体。具有高载流子迁移和辐射复合效率的直接带隙改性的GE半导体可以应用于光电器件，可以显着提高发光效率，并且它们在实现单片光电整体（Moei）方面也具有潜在的应用优势并成为一个材料领域的研究热点。在GE带隙型转换的各种实现中，与SI过程兼容的相关方法是最有前途的。在Si衬底上的GE外延层周围蚀刻的方法并通过SiGe选择性填充引入双轴拉伸应力。然而，外延层，Ge组成和Ge Mesa区域宽度对应变分布和强度的影响尚未清楚。因此，建立了选择性外延诱导的直接带隙GE方案的有限元应力模型，以获得SI的材料物理和几何参数_{1- X}GE _X增长区。有限元模拟的结果表示何时SI_{1- X}GE _X外延层为150-250nm宽，GE组合物为0.3〜0.5，宽度为20-40nm的Ge mesa可以转化为0-6nm深度的直接带隙半导体。理论结果可以为实现后续相关过程提供重要的理论依据。SN - 1687-8108 UR - https://doi.org/10.1155/2019/2096854 do - 10.1155/2019 / 2096854 jf - 炼细物理pb - hindawikw - er -